解决硅化钽半导体的峰重叠

1.6 - -1.9 keV能量区域的钽硅化物的X射线光谱。与EDS(红色宽峰)相比,改进算法的高能量分辨率让助教和Si的谱峰完美分离。

钽硅化物作为氧化或耐温涂层材料,被广泛的应用于微电子和光学器件。在半导体材料(如硅片)中,钽硅化物也常常充当耐火材料。

为了在质量控制中实现高空间分辨率,必须以低加速电压对材料进行分析,而这个前提常常让次要物相的识别变得困难。在低加速电压下,样品中只产生助教M线系,而Ta的M线系会与基板如果Kα线系谱峰发生严重重叠。

最终我们得到的eds峰值相较主要元素的理论峰值略有变宽,并掩盖了第二个元素的存在。相比之下,使用Quantax WDS可以成功剥离Ta元素,因为WDS相比EDS的分辨率更为优越。