硅中的碳和氧气定量
对于硅制造商来说，控制其碳和氧气含量至关重要，因为它们可以对半导体产生有益和有害影响。
关于FT-IR对碳和氧含量的定量
硅中的碳和氧的FTIR分析是快速，敏感，无破坏的，因此是SI质量控制的广泛接受方法。bob电竞安全吗布鲁克（Bruker）在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
详细介绍碳和氧气定量
基于研究系列光谱仪的解决方案：
- 根据ASTM/SEMI MF1391的室温定量Si中替代碳
- 根据ASTM/SEMI MF1188
- 推荐样品特性：0.5 - 2.5毫米的厚度，双面抛光，单晶或多晶
- 低温分析以提高灵敏度至大约
碳10 ppba - 可实现的检测极限<400ppba
基于低温SI分析仪的冷冻剂解决方案
- 在工业环境中优化了高度敏感的低温SI分析的操作，而无需低温液体
- 完全自动化的测量周期和数据评估，包括报告生成
- 根据ASTM/半标准同时量化碳，氧气和浅杂质
- B，P和单晶Si中的进一步浅杂质的定量至PPTA范围低。
- 量化多硅酸盐或单晶Si中的替代碳降低到低PPBA范围
- 量化多硅酸盐或单晶Si中的间质氧降低到低PPBA范围
基于Sibrickscan Si Ingot分析仪的解决方案：
- 用于量化具有校准的完整硅锭中的间隙氧的专用AT线系统，与ASTM/SEMI 1188标准链接
- 结果，沿硅锭的纵轴氧气浓度曲线结果
- 根据样品形状和特性，可以达到<2ppma的间隙氧检测极限。
