硅中的碳氧定量
硅制造商控制碳和氧含量是至关重要的，因为它们可以对半导体有利也有有害的影响。
关于FT-IR法测定碳氧含量的研究
FTIR分析硅中的碳和氧快速、灵敏、无破坏，是硅质量控制的一种广泛采用的方法。bob电竞安全吗Bruker在该领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
详细介绍碳氧定量
基于研究系列光谱仪的解决方案:
- 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188对Si中间质氧的室温定量
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
- 低温分析的灵敏度提高到大约
碳是10 ppba - 可实现检测限<400ppba
基于CryoSAS低温Si分析仪的解决方案
- 为工业环境下的高灵敏度低温Si分析而优化，不需要低温液体
- 全自动的测量周期和数据评估，包括报告生成
- 同时量化碳，氧和浅杂质根据ASTM/SEMI标准
- 将单晶Si中的B、P和其他浅杂质定量到低ppta范围。
- 多晶硅或单晶硅中取代碳的定量低ppba范围
- 多晶硅或单晶硅中间隙氧的定量降到低ppba范围
基于SiBrickScan Si锭分析仪的解决方案:
- 专用在线系统，用于完整硅锭中间隙氧的定量校准，与ASTM/SEMI 1188标准挂钩
- 氧浓度沿硅锭纵轴分布
- 根据样品的形状和性质，可以达到<2ppma的间质氧检测极限。
