硅中的碳氧定量
对于硅制造商来说，控制碳和氧的含量是至关重要的，因为它们对半导体既有有利的影响，也有不利的影响。
关于FT-IR法测定碳氧含量的研究
FTIR分析硅中的碳和氧快速，灵敏，无破坏，因此是广泛接受的硅质量控制方法。bob电竞安全吗Bruker在该领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
进入碳和氧定量的细节
基于研究系列光谱仪的解决方案:
- 根据ASTM/SEMI MF1391, Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188, Si中间隙氧的室温定量
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
- 低温分析提高了灵敏度降至约
碳为10 ppba - 可达到的检测限<400ppba
基于CryoSAS低温Si分析仪的解决方案
- 优化的操作在工业环境高灵敏度低温Si分析，不需要低温液体
- 全自动测量周期和数据评估，包括生成报告
- 同时量化碳，氧和浅杂质根据ASTM/SEMI标准
- 定量的B, P和进一步浅杂质单晶Si下降到低ppta范围。
- 多晶硅或单晶硅中取代碳的定量可降至低ppba范围
- 多晶硅或单晶硅中间隙氧的定量可降至低ppba范围
基于SiBrickScan硅锭分析仪的解决方案:
- 专用的在线系统，用于完整硅锭中间隙氧的定量校准，与ASTM/SEMI 1188标准相关联
- 结果是氧浓度沿硅锭的纵轴分布
- 根据样品的形状和性质，可以达到<2ppma的间质氧检测极限。
