缺陷和污染

污染控制

可靠、高效的缺陷和污染控制是生产线良率的关键。bob电竞安全吗Bruker为这项任务提供了解决方案。

简介

污染控制

微量金属污染是半导体器件制造中日益受到关注的问题。污染对先进技术节点尤为重要。表面微量金属通过多种方式影响半导体器件性能和产品收率。在高温加工过程中,表面的金属可以扩散到硅基板中,充当复合中心,并降低少数载流子的寿命。表面的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响,并与栅极氧化物结合,降低氧化物的完整性。因此,微量金属污染的表面测量是器件制造中至关重要的一步。

TXRF

TXRF用于污染控制

全反射x射线荧光(TXRF)是用于半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据,可定制配方。此外,该软件允许对已经获得的数据进行重新分析。

在TXRF中,一束x射线以掠射角度射入晶圆表面。选择掠射角度是为了允许入射x射线的内部全反射,以改善晶圆表面材料的激发。入射x射线束能量被选择来激发某些元素从表面污染中发射x射线。从污染物种发出的x射线具有元素特异性的特征能量。这允许定量的污染种类或微量金属。x射线荧光过程对晶圆无损,测量尺寸由固态探测器的几何尺寸决定。

收集关键污染测量数据

全反射x射线荧光(TXRF)是用于半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据,可定制配方。此外,该软件允许对已经获得的数据进行重新分析。

SEM /为解决方案

SEM /为离线解决方案

半导体器件表面金属污染对器件性能和产品成品率有多方面的影响。对于离线检测,Bruker提供基于SEM和TEM的bob电竞安全吗解决方案,包括能量色散x射线能谱(EDS)、波长色散x射线光谱学(改进算法)和电子背散射衍射(EBSD).这些技术允许对单个污染物进行定位、形态表征和成分分析。这甚至可以使用自定义的粒子分析软件功能自动执行,ESPRIT软件用于EDS测量。

半导体钽硅化物中峰重叠的解决

由于半导体材料中的污染物通常是小而薄的特征,分析通常在非常低的加速度电压(1-5 kV)下进行。这将x射线光谱学限制在低能量线,并需要具有高光谱分辨率的分析技术,如WDS。