污染控制
可靠、高效的缺陷和污染控制对生产线的成品率至关重要。bob电竞安全吗Bruker为这个任务提供了解决方案。
简介
污染控制
微量金属污染是半导体器件制造中一个不断增长的问题。污染对于先进技术节点尤为重要。表面的微量金属以多种方式影响半导体器件性能和产品产量。在高温加工过程中，表面的金属可以扩散到硅衬底，作为重组中心，并降低少数载流子的寿命。表面的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响，并与栅极氧化物结合，降低氧化物的完整性。因此，微量金属污染的表面测量是器件制造中的一个关键步骤。
TXRF
TXRF用于污染控制
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面微量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF进行快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许fab技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据，并可定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
在TXRF中，一束x射线以一个掠瞄角度入射到晶圆表面。所选的掠射角度允许入射x射线的全内部反射，以改善晶圆表面材料的激发。入射的x射线束能量被选择来激发某些元素从表面污染的x射线发射。污染物质发出的x射线具有元素特有的特征能量。这允许对污染种类或微量金属进行量化。x射线荧光过程对晶圆是无损的，测量尺寸由固态探测器几何尺寸定义。
收集关键污染测量数据
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面微量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF进行快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许fab技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据，并可定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
SEM /为解决方案
半导体硅化钽中峰重叠的解析
由于半导体材料中的污染物通常是小而薄的特征，分析通常在非常低的加速电压(1-5 kV)下进行。这将x射线光谱学限制在低能线，并需要具有高光谱分辨率的分析技术，如WDS。
