缺陷和污染

污染控制

可靠,有效的缺陷和污染控制对于生产线产量至关重要。bob电竞安全吗布鲁克为此任务提供了解决方案。

介绍

污染控制

痕量金属污染是半导体装置制造的不断关注的问题。污染对于先进的技术节点尤其重要。表面的痕量金属会以多种方式影响半导体设备的性能和产品产量。在高温处理步骤中,表面的金属可以扩散到硅底物中,充当重组中心并降解少数载体寿命。表面的金属还会对硅氧化速率产生不利影响,并掺入栅极氧化物并降解氧化物完整性中。因此,痕量金属污染的表面测量是设备制造中的关键步骤。

TXRF

TXRF用于污染控制

总反射X射线荧光(TXRF)是用于在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速,无损,直列和完全自动化的测量。该工具允许Fab技术人员收集具有可定制食谱质量控制所需的关键污染测量数据。此外,该软件允许重新分析已经获得的数据。

在TXRF中,X射线束针对晶圆表面的瞥见角度。选择扫视角度以允许入射X射线的全部内部反射,以改善仅在晶圆表面的材料的激发。选择入射X射线束能量以激发表面污染的某些元素X射线排放。从污染物物种发出的X射线具有特定元素的特征能。这允许量化污染物或痕量金属。X射线荧光过程对晶片无损,测量大小由固态检测器几何形状的大小定义。

收集关键污染测量数据

总反射X射线荧光(TXRF)是用于在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速,无损,直列和完全自动化的测量。该工具允许Fab技术人员收集具有可定制食谱质量控制所需的关键污染测量数据。此外,该软件允许重新分析已经获得的数据。

基于SEM/TEM的解决方案

基于SEM/TEM的离线解决方案

半导体装置的表面金属污染以多种方式影响其性能和产品产量。对于离线检查,Bruker提供了SEM和TEM的解bob电竞安全吗决方案,包括能量分散X射线光谱(eds),波长色散X射线光谱(WDS)和电子反向衍射(EBSD)。这些技术允许对个体污染物的定位,形态表征和组成分析。甚至可以使用具有ESPRIT软件进行EDS测量的自定义粒子分析软件功能自动执行。

半导体米酰胺中的峰值重叠

由于半导体材料中的污染物通常是较小且薄的特征,因此该分析通常以非常低的加速度电压(1-5 kV)进行。这将X射线光谱限制在低能线上,并需要具有高光谱分辨率功能(例如WDS)的分析技术。