使用SEM中的茎层(T-SEM)对半导体结构进行高分辨率映射

具有基于X射线的方法的半导体纳米结构的元素分布映射并不总是直接的。在研究半导体材料时,纳米级空间分辨率和X射线峰重叠的需求是常见的挑战。SEM在传输模式(T-SEM)有时可以代替昂贵的TEM。本示例显示了高分辨率eds使用环形在SEM中获得的半导体结构的地图Xflash®扁平EDS检测器具有4个SDD象限,在样品和SEM Pole片之间排列了径向对称性。该地图以20 kV获取,使用220 pa梁电流。Xflash的高灵敏度®扁平检测器允许在SEM中获得优于10 nm空间分辨率(见图2)。尽管X射线峰重叠,但由于Bruker中实现的峰值反卷积模型,硅(SI)和钨(W)可以在地图中得到很好的区分。bob电竞安全吗Esprit软件(见图1)。

图1:RAM微芯片和提取区域光谱的元素分布图证明了SI和W的成功反卷积
图2:从图1中的超图中提取的线扫描:它显示沿轮廓的元素分布的变化,横向分辨率为10 nm。