利用SEM中的STEM-EDS对半导体结构进行高分辨率映射(T-SEM)

用基于x射线的方法绘制半导体纳米结构的元素分布图并不总是直接的。在研究半导体材料时，对纳米尺度空间分辨率和x射线峰重叠的需求是常见的挑战。透射模式的扫描电镜(T-SEM)有时可以替代昂贵的透射电镜。目前的例子显示了一个高分辨率EDS在SEM中使用环形获得的半导体结构图XFlash^®FlatQUADEDS探测器，4个SDD象限，在试样和SEM极片之间径向对称布置。在20kv和220pa束流电流下获得了地图。XFlash的高灵敏度^®在扫描电镜中，FlatQUAD探测器可以实现优于10 nm的空间分辨率(见图2)。尽管x射线峰有很强的重叠，但硅(Si)和钨(W)可以很好地在图中区分开来，这要归功于在Bruker'中实现的峰反褶积模型。bob电竞安全吗思捷环球软件(见图1)。