利用STEM-EDS在SEM (T-SEM)中实现半导体结构的高分辨率映射

基于x射线的半导体纳米结构元素分布映射方法并不总是直接的。纳米尺度的空间分辨率和x射线峰值重叠是研究半导体材料的共同挑战。透射模式下的扫描电镜(T-SEM)有时可以代替昂贵的透射电镜。本例显示了高分辨率EDS利用环形扫描电镜获得的半导体结构图XFlash^®FlatQUADEDS探测器有4个SDD象限，试件与SEM极片之间呈径向对称布置。该图谱是在20kv和220pa光束电流下获得的。XFlash的高灵敏度^®在扫描电镜中，FlatQUAD探测器可实现优于10 nm的空间分辨率(见图2)。尽管x射线峰高度重叠，但由于Bruker’中实现的峰反褶积模型，在地图中可以很好地区分硅(Si)和钨(W)。bob电竞安全吗思捷环球软件(见图1)。