在某些Fe-Sems的沉浸式/UHR模式下启用纳米级TKD映射

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最近的大规模采用纳米技术引发了扫描电子显微镜(SEM)最高分辨率的种族。实现最终空间分辨率的一种方法使用磁性浸入镜头。以前,使用浸入式镜头使方向映射不可能。这是因为镜头产生的磁场会干扰柯克基图案(TKP)收集和分析过程。干扰有两个主要组成部分:

  • 散射电子受到SEM光轴周围狭窄空间的约束(请参见下面的TKP“带有场”)。
  • kikuchi模式被磁场扭曲,旋转和移动。

首先,将kikuchi信号简化为从SEM的光轴扩展到10 mm的区域。光轴周围的这种电子的遏制意味着很少有散射电子将达到标准EBSD检测器通常将其磷光屏幕放置在距离SEM的光轴15 mm的距离上。轴上TKD启用技术擎天柱2通过从SEM光学轴周围捕获学的图案来解决此问题。

其次,由磁场在TKPS中的存在造成的重型扭曲,使无法准确的频带检测。为了纠正扭曲并补偿TKPS中的旋转和偏移,我们开发了一种新的软件功能(专利待处理),称为ESPRIT FIL TKD(Full Immersion Lens TKD)。该功能易于校准,并已完全集成到自动地图获取过程中ESPRIT 2软件。

FIL TKD特征与轴上TKD的组合可以在其超高分辨率模式下运行时使用高端FE-SEM的准确取向映射,即浸入浸入式晶状体。

图1A:在存在磁场的情况下使用轴上TKD几何形状获得的未校正传输Kikuchi模式(TKP)
图1B:使用FIL-TKD校正后的图1(左)TKP
图1C:与图1(中心) - 从同一晶粒中获取但没有磁场的TKP,即浸入透镜无活性

在图2(*)所示的TKD结果中,清楚地看到了这种独特的HW&SW选项组合的最终结果或好处。图案质量图(左)定性地证明,在激活浸入式镜头时,物理空间分辨率要好得多(非常清晰的特征)。在带有浸入式晶状体的方向图中,可以清楚地看到谷物/特征比10 nm明确的。

图2:从没有磁场的20 nm au薄膜中获取的同一区域的原始轴上TKD图,又称分析模式(TOP)和磁场,又称超高分辨率模式(底部)。使用相同的参数用于探针电流,加速​​电压,TKD检测器设置和步长大小为3 nm。比例尺代表100 nm。没有将数据清洁应用于方向图。结果由丹麦DTU Nanolab的Alice Da Silva Fanta提供。

(*)此处介绍的结果应定性地采取,而不是作为我们的TKD解决方案和/或某些SEMS的解决方案。相关SEM的沉浸式和非脱水模式之间的TKD地图分辨率和索引质量的差异可能会因模型和/或制造以及房间环境而异,例如温度,地面振动,声学等。