半导体片层在SEM (T-SEM)和STEM中的EDS

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电子透明样品的定量元素映射

半导体结构的持续小型化需要他们在纳米尺度上的理解,以确保合适的设计和故障分析。许多研究需要昂贵的高端透射电子显微镜测量时间,以及复杂的标本制备和标本转移程序。

我们展示了评估电子透明样品中元素分布的选项,例如FIB薄片,使用能量色散x射线能谱不仅在TEM,但也在扫描电镜(图1)或FIB期间。单,多,环形布鲁克XFlashbob电竞安全吗®检测器可用于快速数据采集。本文介绍了电子透明样品在扫描电镜(T-SEM)和STEM中的定量能谱分析的有效方法。

此外,EDS与其他分析技术相关,如使用Bruker的非破坏性微x射线荧光分析(micro- xrf)bob电竞安全吗M4龙卷风透射菊池衍射(跆拳道)在扫描电镜中使用电子透明试样。

覆盖在二次电子图像上的半导体薄片中的元素分布(元素线反褶积后的净计数)。采用高采集角环形Bruker XFlash FlatQUAD EDS检测器进行FIB后扫描电镜观察,采集时间为3min。bob电竞安全吗为了清晰起见,没有显示所有元素。

谁应该参加?

  • 来自半导体工厂和实验室的科学家和应用科学家
  • 对FIB,样品制备,SEM和TEM-EDS,以及元素和结构分析相关分析技术感兴趣的教师和学生

演讲者

Meiken Falke博士

Bruker Nano Analytics的TEM-EDS全球产bob电竞安全吗品经理

马克斯Patzschke

Bruker Nano Analytics的应bob电竞安全吗用科学家

Purvesh索尼

Bruker Nano Analytics的应bob电竞安全吗用科学家