在SEM (T-SEM)和STEM中对半导体薄片进行EDS分析

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电子透明样品的元素定量制图

半导体结构的不断小型化要求他们在纳米尺度上的理解，以确保合适的设计和故障分析。许多研究需要在高端透射电子显微镜上花费昂贵的测量时间，以及复杂的标本制备和标本转移程序。

我们展示了评估电子透明样品中元素分布的选项，例如FIB薄片，使用能量色散x射线光谱不仅在TEM，但也在扫描电镜(图1)或FIB期间。单、多、环形Bruker XFlashbob电竞安全吗^®探测器可用于快速数据采集。提出了在扫描电镜(所谓的T-SEM)和扫描电镜(STEM)中定量分析电子透明样品的有效方法。

此外，EDS与其他分析技术相关，如使用Bruker的无损微x射线荧光分析(micro- xrf)bob电竞安全吗M4龙卷风及透射菊池衍射(跆拳道)在扫描电镜中使用电子透明试样。