硅质量控制

可以根据ASTM/SEMI MF标准来研究整个材料范围，包括硅QC的溶液。

• 工业生产的硅的室温碳和氧气定量
  
• 确定浅层杂质（B，P，AS等），显着影响Si的电性能
• 低温NIR光致发光，用于定量具有无与伦比的浅杂质
  

冷冻剂：
低温硅杂质分析的低温硅分析系统

Sibrickscan：
在线硅锭分析仪Sibrickscan进行氧气定量

Invenio和Vertex：
下一代FT-IR光谱仪具有很高的灵活性

硅中的碳和氧的FT-IR分析是快速，敏感，无破坏的，因此是SI质量控制的广泛接受方法。

bob电竞安全吗布鲁克（Bruker）在该领域拥有数十年的经验，并基于顶点系列，我们提供了最强大和最新的解决方案。

• 根据ASTM/SEMI MF1391的室温定量Si中替代碳
• 根据ASTM/SEMI MF1188
• 可实现的检测极限<400 ppba
• 建议的样品特性：厚度0.5 - 2.5毫米，双面抛光，单晶或多晶
  

根据ASTM/SEMIMFI1389，低温NIR光亮发光（PL）可以定量单晶硅中的浅杂质（例如B，P）。

可以实现顶点80 ft-ir光谱仪和专用的Si光发光模块的无与伦比的灵敏度与低温恒温器，而小于1PPTA的检测极限是可以实现的。

• 根据ASTM/SEMI MFI1389，单晶硅中的B，P和Al定量
• Trichlorsilane（TCS）通过PL通过CVD沉积从TCS沉积的外延SI层PL的质量控制
• 各种选项，例如低温恒温器自动化，光致发光的专用软件，校准样品和第二个额外的激发激光器

使用能量分散性微XRF快速晶体域映射

在能量分散性XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的麻烦。但是，这些布拉格峰与晶体方向有关，因此提供了有关样品性质的其他信息。在这里，我们描述了如何M4龙卷风可以用来可视化晶体域。该信息对于评估单晶的质量以及多晶材料的特性至关重要。该原理可用于鉴定单晶的亚谷物不良方向以及多晶样品中的晶体尺寸。

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