硅的质量控制
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如果质量控制
硅的质量控制
元素杂质和晶格的破坏对硅的光学和电学性质有深远的影响。因此，监测硅晶体的外来污染和尺寸的质量是一项关键任务。FT-IR和micro-XRF是理想的分析工具，以可视化的大型缺陷和晶体在这类材料。
傅立叶变换红外光谱应用实例
硅质量控制的FT-IR解决方案
根据ASTM/SEMI MF标准，可以研究一系列的材料，包括硅质量控制的特殊解决方案。
- 工业生产硅的室温碳氧定量
- 对硅电性能有显著影响的浅层杂质(B、P、As等)的测定
- 低温近红外光致发光法定量浅层杂质具有无可比拟的灵敏度
CryoSAS:
用于低温硅杂质分析的低温硅分析系统
SiBrickScan:
在线硅锭分析仪SiBrickScan氧定量
INVENIO和顶点:
具有高灵活性的下一代FT-IR光谱仪
硅中的室温碳氧定量
FTIR分析硅中的碳和氧快速、灵敏、无破坏，是硅质量控制的一种广泛采用的方法。
bob电竞安全吗Bruker在该领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大和最新的解决方案。
- 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188对Si中间质氧的室温定量
- 可实现检测限<400 ppba
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
硅QC的低温光致发光
低温近红外光致发光(PL)可以根据ASTM/SEMI MFI1389对单晶硅中的浅杂质(如B、P)进行定量。
结合VERTEX 80 FTIR光谱仪无与伦比的灵敏度和专用的Si光发光模块与低温恒温器，检测限小于1ppta是可以实现的。
- 单晶硅中B, P和Al的定量根据ASTM/SEMI MFI1389
- 三氯硅烷(TCS)通过CVD沉积外延硅层的PL质量控制
- 各种选项，如低温恒温器自动化，专用软件的Si QC光致发光，校准样品和第二附加激发激光器
Micro-XRF应用实例
应用实例
能量色散微- xrf晶体域快速映射
在能量色散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的麻烦的伪影。然而，这些布拉格峰，因为它们与晶体取向有关，提供了关于样品性质的额外信息。在这里，我们描述如何M4龙卷风可以用来可视化晶体域。这些信息对于评价单晶的质量以及多晶材料的性能是至关重要的。该原理可用于识别单晶中的亚晶取向偏差以及多晶样品中的晶体尺寸。
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