的WaferScanTM自动化计量系统提供快速和准确的晶圆几何表征,使晶圆制造商能够满足1x nm设计规则和更高的苛刻的光刻和CMP要求。
传入晶圆平面度变化和后续工艺诱导的形状变化会导致最终器件性能和成品率的急剧降低。WaferScan获得应力诱导晶圆形状变化、形状诱导叠加、晶圆厚度变化以及正面和背面地形的高通量测量,以解决这些问题。测量可以在各种基底上进行,包括抛光、外延和SOI晶圆。
典型应用领域包括:
晶圆厚度范围 | 5 μ m - 1.5 mm |
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晶圆厚度精度 | ±1.0µm |
晶圆厚度精度 | 0.1μm |
厚度的决议 | 0.01μm |
晶圆曲率范围 | 最大1.5毫米 |
光谱范围 | 400纳米- 1000纳米 |
测量光斑大小 | 25µm |
样本大小 | 2毫米- 300毫米(标准150毫米) |
光谱分辨率 | 0.3纳米 |
光源 | 调节卤素灯(寿命10000小时) |
探测器类型 | 2048像素索尼线阵CCD阵列 |
自动对焦的自动舞台 | 300毫米(标准为200毫米) |
电脑 | 多核处理器,Windows™10操作系统 |