的WaferScanTM自动计量系统提供快速、准确的晶片几何特征使晶片制造商能够满足要求光刻和CMP 1 x nm设计规定的要求。
传入的晶片平面度变化和后续过程induced-shape变化会导致最终的设备性能和产量大幅减少。WaferScan获得高通量的测量压力诱导晶片形状变化,shape-induced叠加,晶片厚度变化,前端和后端地形来解决这些问题。测量可以执行在不同的底物,包括抛光、外延和SOI晶片。
典型的应用领域包括:
晶片厚度范围 | 5µm - 1.5毫米 |
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晶片厚度精度 | ±1.0µm |
晶片厚度精度 | 0.1μm |
厚度的决议 | 0.01μm |
晶圆曲率范围 | 到1.5毫米 |
光谱范围 | 400 nm - 1000 nm |
测量光斑大小 | 25µm |
样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
光谱分辨率 | 0.3纳米 |
光源 | 监管的卤素灯(10000小时寿命) |
探测器类型 | 2048像素索尼线性CCD阵列 |
自动化与自动对焦 | 标准是300毫米(200毫米) |
电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |