FilmTek 3000 SE
多模式台式系统，非常适合测量非常薄的吸收膜
하이라이트
FilmTek 3000 SE
FilmTek™3000 SE高性能台式椭偏仪/反射透射分光光度计提供了一种多功能的单仪器解决方案，用于研究透明衬底上非常薄的吸收膜。
该系统将基于旋转补偿的光谱椭偏仪设计与高性能DUV多角度反射和透射测量功能相结合。因此，它能够同时和独立地测量透明衬底上非常薄的吸收膜样品的厚度、折射率和消光系数，以及几乎任何其他透明薄膜样品<1 Å到150 μ m的厚度，具有非常高的准确性和重复性。
FilmTek 3000 SE的完全集成配置包括完全自动化和先进的材料建模功能，允许用户以异常轻松和高效的方式收集反射、传输和椭圆偏振数据。此外，该系统可以选择配置来收集偏振测量数据，使其更广泛地适用于需要双折射测量的用例(例如，光学涂层分析)。其多模式、易于使用、可扩展的设计使FilmTek 3000 SE非常适合学术和研发级别的应用。bob平台靠谱吗
设备
椭偏、反射和透射测量
与传统的单模法相比，可以对透明衬底上的非常薄的吸收膜进行更高的精度和效率的表征。
高性能
多通道设计
提供额外的数据和可定制的功能，以满足甚至具有挑战性和复杂的测量需求。
可扩展的
FilmTek技术
为测量吸收样品的独特挑战提供有意和智能设计的解决方案。
了解更多关于这种乐器的知识。
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특징
测量功能
允许同时确定:
- 多个层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光吸收系数[k(λ)]
- 能带隙
- 成分(如:SiGex中的%Ge, GaxIn1-xAs中的% Ga, AlxGa1-xAs中的%Al等)
- 表面粗糙度
- 组成部分,空隙率
- 结晶性/非晶化(如聚硅或GeSbTe膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 旋转补偿设计的椭偏光谱仪(300 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光的光谱反射(190nm - 1700 nm)
- 传输测量
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 采用SCI专利差分功率谱密度(DPSD)技术的多角度微分偏振测量(MADP)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å原生氧化物的重复性)
- 先进的材料建模软件
- bob电竞安全吗布鲁克广义材料模型与先进的全局优化算法
可选:
- 各向异性测量(nx, ny, nz)的广义椭圆偏振法(4×4矩阵概化法)
- 用于精确和同时测定光学常数和双折射的偏振测量
응용
典型应用领域
几乎所有的半透明薄膜的厚度从小于1 Å到大约150 μ m都可以被高精度地测量。典型的应用领域包括:
- 半导体及介电材料
- 领导/ OLED
- 多层光学薄膜
- 光学增透膜
- 光电材料
- 电脑磁盘
- 镀膜玻璃
- 薄金属
- 太阳能电池
具有灵活的硬件和软件，可以轻松修改，以满足独特的客户需求，特别是在学术和研发环境中。
사양
技术规格
| 膜厚度范围 | 0 Å ~ 150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | ±1.0 Å NIST可追溯标准氧化物100 Å到1µm |
| 光谱范围 | 240 nm - 1700 nm(标准为240 nm - 1000 nm) |
| 测量光斑大小 | 3毫米 |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | 稳压氘卤素灯(使用寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素Sony线阵CCD / 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵(近红外) |
| 自动对焦的自动舞台 | 300mm(标准200mm) |
| 电脑 | Windows™10操作系统的多核处理器 |
| 测量时间 | 每个部位约2秒(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | t、n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |