FilmTek 3000 SE
多模态台式系统的理想测量非常薄的吸收膜
突出了
FilmTek 3000 SE
FilmTek™3000 SE高性能台式椭圆计/反射透射分光光度计提供了一种多功能的单仪器解决方案，用于研究透明基板上非常薄的吸收膜。
该系统结合了我们基于旋转补偿器的光谱椭偏计设计与高性能DUV多角度反射和透射测量能力。因此，它能够同时独立地测量透明衬底上非常薄的吸收膜样品的厚度、折射率和消光系数，以及几乎任何其他<1 Å至150µm厚的透明膜样品，具有非常高的准确性和可重复性。
FilmTek 3000 SE完全集成的配置包括完整的自动化和先进的材料建模功能，允许用户以非常轻松和高效的方式收集反射、传输和椭偏数据。此外，该系统可以选择性地配置以收集偏振数据，使其更广泛地适用于需要双折射测量的用例(例如，光学涂层分析)。其多模式，易于使用，可扩展的设计使FilmTek 3000 SE成为学术和研发级应用的理想选择。bob平台靠谱吗
设备
椭偏、反射和透射测量
与传统的单模方法相比，可以在透明基片上以更高的精度和效率表征非常薄的吸收膜。
高性能
多通道设计
提供额外的数据和可定制的功能，以满足甚至具有挑战性和复杂的测量要求。
可扩展的
FilmTek技术
提供有意和智能设计的解决方案，以测量吸收样品的独特挑战。
了解更多关于这个乐器的信息。
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Eigenschaften
测量功能
能够同时测定:
- 多层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光(吸收)系数[k(λ)]
- 能带隙[Eg]
- 组成(如SiGex中的%Ge, gax1 - xas中的% Ga, AlxGa1-xAs中的%Al等)
- 表面粗糙度
- 成分，空隙率
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si或GeSbTe薄膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 旋转补偿器设计的光谱椭偏仪(300 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光的光谱反射(190 nm - 1700 nm)
- 传输测量
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度差分偏振(MADP)技术，采用SCI专利的差分功率谱密度(DPSD)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å在天然氧化物上的重复性)
- 先进的材料建模软件
- bob电竞安全吗采用先进全局优化算法的布鲁克广义材料模型
可选:
- 各向异性测量(nx, ny, nz)的广义椭偏法(4×4矩阵泛化法)
- 用于精确和同时测定光学常数和双折射的偏振测量
Anwendungen
典型应用领域
几乎所有厚度从小于1 Å到大约150µm的半透明薄膜都可以高精度测量。典型应用领域包括:
- 半导体及介电材料
- 领导/ OLED
- 多层光学涂层
- 光学增透涂层
- 光电材料
- 电脑磁盘
- 镀膜玻璃
- 薄金属
- 太阳能电池
灵活的硬件和软件，可以很容易地修改，以满足独特的客户需求，特别是在学术和研发环境。
Spezifikationen
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å ~ 150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å适用于NIST可追溯标准氧化物100 Å至1µm |
| 光谱范围 | 240nm - 1700nm (240nm - 1000nm为标准) |
| 测点尺寸 | 3毫米 |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | 可调氘卤素灯(寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线性CCD阵列/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外) |
| 自动舞台与自动对焦 | 300mm(标准200mm) |
| 电脑 | 多核处理器与Windows™10操作系统 |
| 测量时间 | ~ 2sec每个位点(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |