半导体互连的化学成分

标准能量色散x射线光谱学(EDS或EDX)使用的探测器面积为30毫米2在标准扫描透射电子显微镜(STEM)上可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是,探测器头足够小(在细线设计中),以尽可能接近(高实心角)标本和高于标本(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收效应。

标准的STEM改装与更小的30毫米2采用带有轻元素窗的有源区EDS,在22°起飞角下获得0.09 sr的收集角,分析半导体互连(图1),绘制出元素分布图。采用Cliff-Lorimer方法对EDS数据进行定量处理。ESPRIT软件中理论Cliff-Lorimer因子的计算基于以下信息:

  • 一个广泛和不断更新的原子数据库,辐射截面和荧光产量的值
  • 探测器与试样的几何关系
  • 以及关于探测器量子效率的信息

在相同条件下研究的一系列样品中,Cliff-Lorimer方法使用理论上计算的因子,相对于样品系列中选定的参考样品,可以在几个原子百分比内准确。EDS数据清楚地显示了Ta和TiN互连衬里的钽和钛,以及铜和钨填充(图2)。钛信号可以与氮信号分离。Si, Ta和W可以进行反卷积并正确分配(图3)。

图1:互连结构的高角度环形暗场图像。样本由synergy提供。
图2:从355像素x 678像素的元素映射中提取的数据,采集时间:15分钟。左:一些相关元素的净计数表示。中图:利用4x4像素分组对Ta进行定量分析。右图:使用8x8像素分组的钛分布。
图3:ESPRIT中Si、Ta和W EDS元素线的反褶积。