晶圆级封装

失效分析

失效分析

失效分析

失效分析是半导体材料生产控制中不可或缺的一部分。根据材料和应用的不同，失效分析可以分为电气、化学和机械测试，以调查产品或材料失效的根本原因。

SEM /为解决方案

SEM /为解决方案

STEM中的定量能谱分析与元件级单个样品制备(FIB)相结合，为识别和研究半导体器件内部结构缺陷提供了手段。

应用实例

所选微处理器的概述:用M4 TORNADO获得的微x射线荧光图。

微处理器线与EBSD键合的微结构表征

球键合是线键合的一种，通常用于半导体器件的电气互连。

互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连体的化学组成

标准的能量色散x射线能谱(EDS或EDX)在传统的扫描透射电子显微镜(STEM)上使用30mm2的探测器区域，可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是，探测器头足够小(在细线设计中)，以尽可能接近(高立体角)和标本上方(高起飞角)的标本。后者有助于避免阴影和吸收效果。

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用于材料研究中高端STEM的大收集角EDS探测器

用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常特定的几何约束。对于x射线的收集来说，大的立体角是不够的。高起飞角度，合适的准直仪形状或极片盖和适应的标本架几何形状对成功的EDS分析至关重要，有助于保持阴影和系统峰值的检查。一个较大的椭圆形探测器区域可以支持在特定情况下对所有这些参数进行优化。

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