Elementverteilungsanalyse Elektronischer Komponenten

mikro -rfa -hoheortsauflösung,hohe elementempfindlichkeit

Mikroelektronische Komponenten Werden浸入komplexer。DieGröße和Dieabständederoberflächenmontiertenbauteile(SMD)和Integrierten schaltungen(ICS)Werden Kleiner und Diedrähte和drähteandanschlüssewerden in Mehreren Schichten Innerhalb in Innerhalb in Innerhalb der LeiterLeiterLeiterPlatten(pcb)Daherbenötigenanalysemethoden,um Sich Dieser Art von von von probenanzunähern,sowohl eine hoheräumlicheauflicheauflösungals als auch auch auch auch diefähigkeit,in die tiefe deiefe der propee der propee procee zu zu schauen。Die mikro-rfa ist ein bildgebendes verfahren,das eineräumlicheauflösungvon etwa 20 µm mit einer sehr sehr hohenelementempfindlichkeitlichkeitfürdie meisten Meisten Meisten Metalle Metalle Kombiniert。SIE KANN DAHER EIN BEGLEITER IM GESAMTEN LEBENSZYKLUS ELEKTRONISCHER KOMPONENTEN SEIN,VON der Forschung undEntwicklungfürNeueDesigns und Mitalialien bis hin Zum recycling Von Edelmetallhaltigen Komponenten。Die Hauptanwendung Ist Die fehleranalyse und dasQualitätsmanagement,Inclusive Schichtdickenmessungen;ZumBeispielFürAu-Kontakte和Bondinseln Oderlötpunkte。Die MethodeKannFürEIN定性预筛选von Rohs- und Weee-Relevanten bauteilen eingesetzt Werden。Die suche nach derhäufigkeitund den tositionen von edelmetallen oder schadstoffenunterstütztdie effiziente abfallaufbereitung oder das回收Elektronischer Komponenten。

BestückteLeiterkarteEines Mobiltelefons。Diekunststoffgehäuseder dis sind透明的füriehöherenergetischestrahlung der schweren elemente wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie wie。DieBonddrähteMitIhren Durchmessern von Nur Ca。10 µM Werden肠道Aufgelöst,ohne dass teile der探针Abgetragen WerdenMüssen。
Diese Beiden Bilder Eines Rambausteins Zeigen DieIntensitätenVonRückgestreuternieder- undHochenergetischerRöntgenstrahlung。LeichtererMatrixStärkerAusgeprägt中的Compton-Streuprozess IST。Daher Erscheint Schwere Materie在Diesem Bild Dunkler中。Die niederenergetischen photonen werden and deroberflächeder proce gestreut und sind(durch ihreenergetischeüberlappungmit der chlorfluorszenz)sogarfürfingurfückeauffingerabdrückeauf auf auf den kunstoffen kunstoffen empfindlich。Auch farbigmente beeinflussen die streueigenschaften der探针。das untere bild ergibt sich aus dem映射derintensitätsverteilungder hochenergetischen streuung。Diese Photonen Interagieren inGrößererTiefeund offenbaren im Inneren der der sogar noch die die filigranen bonddrahtstrukturen。Bei den Energiedisperdived Sdds werden die dieüberdie gestreutenröntgenstrahlenaus denselben spektren entnommen wie die die fluoreszenzenzsignale der einzelnen elemente。