电子显微镜分析

QUANTAX EDS对TEM

XFlash®7 t -看到颜色:纳米杆EDS在TEM和SEM

单原子和纳米结构

为每个特定的显微镜得到最好的结果

突出了

80年
凯文
前所未有的能量上限
明确识别和量化所有当前元素
3
TEM-quantification模型
成功的TEM、茎和T-SEM易于使用的强大的基于理论和实验Cliff-Lorimer因素量化,以及Zeta-factor插值
1
一个
稳定的解决方案
地图周期结构(原子层)与高稳定性和使用增强的漂移校正功能

元素分析透射电子显微镜在纳米尺度上

灵活和易于使用的分析软件包精神与一个开放的用户界面:你看你做什么。

离线分析选项对学生个人或局域网访问或实验室网络。

复杂的最有经验的量化能量色散x射线能谱(EDS)为完成数据挖掘包括:

  • 选择量化步骤:默认的建议,便于使用indvidual设置,详细修改和保存/重载的食谱
  • 三种不同的量化方法覆盖所有可能的场景基于理论和实验Cliff-Lorimer因素以及Zeta-factors Zeta-factors失踪的插值
  • TEM-specific高行高于40 keV能量元素用于确保明确的量化结果
  • 的选择3至关重要的背景模型:大部分的物理和物理一个薄的薄片以及数学模型
  • 吸收校正已经包含在Cliff-Lorimer量化

Vorteile

高分辨率电子透明元素分布分析样品在TEM,阀杆和SEM (T-SEM)

  • 长期的专业知识在EDS确保的配置最好的解决方案为您的特定的显微镜(茎、TEM和SEM)这款超薄的线性检测器设计和几何优化为每个显微镜极片和EDS法兰类型
  • 最大的收集和起飞角允许快速和高度敏感的数据采集
  • 快速移动探测器稳定阶段
  • 一个特殊的漂移修正常规周期特性的保证成功的EDS在纳米级
  • 时间分辨数据采集的现场实验适合保存变化的数据流,远东在升高的温度下
  • 自动化数据采集和分析过程使用的脚本和API选项生成的具体分析工作批处理
  • 干净的数据需要没有或最小的收购后修正由于完全避免机械和电磁干扰和避免或保持到最低限度样品倾斜,吸收、阴影和系统峰值
  • 最有经验的EDS数据量化从电子市场上透明标本为全面的数据挖掘提供了明确的结果
  • 最高质量的援助和培训由于长期的经验TEM使用您的系统全功率

Anwendungen

新XFlash Ultimative结果®7 EDS对TEM探测器

©图像和样本由迈克尔•Malaki Shamail Ahmed;材料科学中心,物理教师,菲利普斯马尔堡大学

EDS分析涂锂电池阴极粒子

不合格品阴极材料的电容保留电池(单边带和自由)可以改善涂层的结构。控制这些纳米厚的涂层的性能,必须知道他们的元素分布。我们现在SEM-based EDS分析解决方案实现微米大小阴极与不规则粒子表面纳米分辨率和比较TEM EDS。

在TEM元素分析的应用领域

半导体
反褶积结果x射线能量较低的频谱从非绝对的获得(Pt)

量化的Pt浓度非绝对的(Pt) -NiSi2半导体结构

这个应用程序例子展示了EDS数据从Pt合金非绝对的薄膜的外延生长和量化%几的Pt在非绝对的合金。非绝对的用于nm-sized场效应管等半导体器件的金属化结构。
结合元素的地图分层系统

化学相分析的分层结构

它可以有利于检查高光谱图像存在的化学阶段没有应用先验知识。bob电竞安全吗力量的ESPRIT AutoPhase自动发现的标本地区类似的成分分析HyperMap基于光谱的主成分分析。这个过程可以调节的灵敏度。演示的方法是使用一个多层结构的横截面为例。
混合元素纳米线的地图

纳米线的化学特性

纳米结构,如纳米线、纳米棒和功能化nanovehicles是越来越感兴趣的各种应用纳米技术,是人体电子学或药物输送。bob平台靠谱吗
单个硅原子在石墨烯

确定单个原子在石墨烯

它不仅是最高的艺术EDS获得单个原子的光谱,但它也可以提供有价值的新信息激发特定元素的属性。
高角度环形暗视野的互连结构

半导体互联的化学成分

标准能量色散x射线能谱(EDX)使用探测器领域30平方毫米常规扫描透射电子显微镜(STEM)可以提供元素映射与纳米分辨率在几分钟内。条件,探测器头部足够小(款超薄的线性设计)尽可能接近的标本(高立体角)和上方的标本(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收的影响。
RAM芯片元素分布地图

高分辨率的映射半导体内存芯片使用STEM-EDS SEM (T-SEM)

半导体纳米结构元素分布的映射与基于x射线方法并不总是直截了当。纳米尺度的空间分辨率的需要和x射线峰值重叠时共同挑战调查半导体材料。有时它可以有利于用SEM代替昂贵的TEM表征工具和时间。

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