对于梁敏感样品(例如SI纳米颗粒)的基于SEM的EDS分析,需要非常低的光束电流和/或非常短的测量时间。当需要高空间分辨率时,必须使用低压来减少电子样本相互作用。对于常规的ED测量,由于诱导的X射线产量非常低,因此需要很长的测量时间,因此这种分析条件具有挑战性。结果是光束诱导的样品漂移,影响空间分辨率。
EDS测量Xflash®扁平克服这些局限性。独特的几何形状Xflash®扁平对低X射线屈服材料具有高检测灵敏度,从而在低探头电流下具有高计数速率。就这样Xflash®扁平检测器是即使在地形上绘制梁敏感材料的理想选择。
该示例提供了硅纳米颗粒的高分辨率图(2 nm的像素间距!)。映射是通过Xflash®扁平在5 kV,520 PA和377 S的收购时间。结果表明,目前的纳米颗粒的特征是硅芯(绿色)和碳壳(红色)。(数据提供:S.Rades等人,皇家化学协会,2014,4,49577)