si -核-c -壳纳米硅的超高分辨率元素映射

基于sem的EDS分析束敏感样品(如Si纳米颗粒)需要非常低的束流电流和/或非常短的测量时间。当需要较高的空间分辨率时，必须采用较低的电压来减小电子-样品的相互作用体积。对于传统的EDS测量，这种分析条件具有挑战性，因为诱导x射线产率非常低，因此需要非常长的测量时间。其结果是光束诱导的样品漂移影响空间分辨率。

用XFlash^®FlatQUAD克服这些限制。独特的几何形状XFlash^®FlatQUAD对低x射线产率材料具有高检测灵敏度，在低探针电流下提供高计数率。因此,XFlash^®FlatQUAD探测器是绘制束敏感材料的理想选择，甚至与地形。

这个例子展示了硅纳米粒子的高分辨率地图(像素间距为2纳米!)映射是用XFlash^®FlatQUAD在5 kV, 520 pA和377 s的采集时间。结果表明，纳米粒子具有硅核(绿色)和碳壳(红色)的特征。(数据来源:S.Rades等，皇家化学学会进展，2014,4,49577)