EBSD微处理器线键合的微观结构表征
球键合是一种线键合，通常用于半导体器件的电气互连。
所选微处理器概述:M4 TORNADO获得的micro-XRF图。
球键合是半导体器件中常用的电互连线键合的一种。利用热、静压和超声波能量在金球和芯片表面之间形成焊接。
由于工艺变量之间的相互作用，设计最佳粘接设置非常困难。通过识别金属连接处的结构变化或变形，对线连接进行EBSD分析是帮助了解设备故障的完美工具。结合EDS/EBSD分析可实现:
- 同时对不同层进行化学和微观结构表征
- 评估晶体的形成和生长
- 局部塑性应变
- 计算孪生边界的数量
- 确定晶粒尺寸
- 揭示非晶材料和腔体
采用宽离子束铣削法制备EBSD样品。使用徕卡TXP和TIC3X仪器进行横断面制备的BSE图像。
由ARGUS成像探测器获取的方位对比图像。它揭示了微观结构，尽管离子铣削引起了一些帷幕，但样品制备得很好;通过argstm彩色定向对比，可以清楚地看到金键的内部应变。
热影响金键的EBSD取向分布图。在快速测量中实现了非常高的标度率(>95%)。无碳涂层。晶粒尺寸从200 nm到22µm不等。
低角度错向分布图(或核平均错向分布图)显示了金键中富集的位错和低角度边界。当取向差分布大于0.5°时，宽离子铣削抛光的影响可以忽略不计。