微处理器线与EBSD键合的微结构表征
球键合是线键合的一种，通常用于半导体器件的电气互连。
所选微处理器的概述:用M4 TORNADO获得的微x射线荧光图。
球键合是一种金属丝键合，通常用于半导体器件的电气互连。利用热、静压和超声波能在金球和芯片表面之间形成一个焊缝。
由于过程变量之间的相互作用，最佳结合设置的设计是棘手的。EBSD分析线键合是通过识别金属互连处的结构变化或变形来帮助理解设备故障的完美工具。结合EDS/EBSD分析实现:
- 同时对不同层进行化学和微观结构表征
- 评估晶体的形成和生长
- 定位塑性应变
- 计算双胞胎边界的数量
- 确定晶粒尺寸
- 显示非晶态材料和空腔
采用宽离子束铣削法制备了用于EBSD分析的样品。使用徕卡TXP和TIC3X仪器进行横断面制备的BSE图像。
ARGUS成像探测器获取的方位对比图像。它揭示了微观结构，尽管离子铣削引起了一些幕帘，但样品制备良好;通过argstm彩色编码取向对比，可以清楚地看到金键的内部应变。
热影响金键的EBSD取向分布图。非常高的索引率(>95%)在快速测量中实现。无碳涂层。晶粒尺寸从200 nm到22 μ m不等。
低角度位错分布图(或核平均位错分布图)显示了金键中高度集中的位错和低角度边界。当偏位分布大于0.5°时，广离子铣削抛光的影响可以忽略不计。