FilmTek CD
多模态临界尺寸测量和先进薄膜计量
Destaques
FilmTek CD
的FilmTekTMCD光学临界尺寸系统是我们的前沿解决方案，用于全自动，高通量CD测量和先进的薄膜分析，适用于1xnm设计节点及以上。该系统可同时对已知和完全未知的结构进行实时多层叠加表征和CD测量。
FilmTek CD利用专利的多模态测量技术来满足开发和生产中与最复杂的半导体设计特征相关的挑战性需求。该技术可以测量非常小的线宽，在10纳米以下的范围内具有高精度的测量。
现有的测量工具依赖于传统的椭圆测量或反射测量技术，其实时精确解析CD测量的能力受到限制，在设备研发过程中需要繁琐的库生成。FilmTek CD通过专利的多模态测量技术克服了这一限制，即使对完全未知的结构也提供了精确的单一解决方案。
FilmTek CD包括专有的衍射软件，快速，实时优化。实时优化允许用户以最小的设置时间和配方开发轻松测量未知结构，同时避免与库生成相关的延迟和复杂性。
1 × nm设计节点
测量能力
提供快速，可扩展的CD计量和先进的薄膜分析。
Sub-10纳米
高性能的测量
能够精确地表征具有极小线宽的复杂半导体特征。
实时
优化的CD测量
克服了传统系统的局限性，以最小的操作干预提供可靠的测量。
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Caracteristicas
测量功能
- 厚度，折射率，光学CD计量
- 未知薄膜的光学常数表征
- 超薄膜堆的厚度
- 广泛的关键尺寸测量应用，包括金属门凹坑，高k凹坑，侧壁角，电阻高度，硬掩模高度，沟槽和接触剖bob平台靠谱吗面，以及螺距行走
系统组件
标准:
- 多模态测量技术在1xnm设计节点及以上的实时多层叠加表征和CD测量
- 采用专有的严格耦合波分析(RCWA)的多角度散射测量
- 正入射椭圆偏振光谱
- 光谱广义椭圆偏振(4×4矩阵概化法)与旋转补偿器设计
- 多角度DUV-NIR偏振光谱反射(Rs, Rp, Rsp和Rps)
- 完整的CD参数测量包括周期，线宽，沟槽深度和侧壁角度
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 专利抛物面镜技术-小光斑尺寸测量在50×50 μ m特征
- 快速、实时的优化允许使用最短的设置时间(不需要生成库)实现广泛的应用程序bob平台靠谱吗
- 模式识别(康耐视)
- 盒式对盒式晶圆处理
- FOUP或SMIF兼容
- 秒/宝石
可选:
- 为了适应广泛的预算和最终用途应用程序，该系统也可作为一个手动负载，工作台单元的研发bob平台靠谱吗
Aplicacoes
典型应用范围
典型应用包括:bob平台靠谱吗
- 半导体研发与生产
Especificacoes
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å ~ 150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å NIST可追溯标准氧化物100 Å到1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1000 nm(标准为220 nm - 1000 nm) |
| 测量光斑尺寸 | 50µm |
| 光谱分辨率 | 0.3纳米 |
| 光源 | 稳压氘卤素灯(使用寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线阵CCD阵列 |
| 电脑 | Windows™10操作系统的多核处理器 |
| 测量时间 | ~2秒(例如，氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |