3000年FilmTek PAR-SE
透明或非透明衬底上图案薄膜的先进多模态计量学
Punti salienti
3000年FilmTek PAR-SE
FilmTek™3000 PAR-SE是我们最先进和通用的计量解决方案之一，能够满足研发和生产环境中极具挑战性的测量需求。虽然它在几乎所有先进的薄膜测量应用中都达到了业界领先的精度和精确度，但该系统在透明和非透明衬底上的产品晶圆和图案薄膜的材料表征方面表现出色。
与我们的其他PAR-SE产品一样，该系统结合bob综合是什么了基于旋转补偿器的光谱椭偏仪、DUV多角度偏振反射仪、我们的专利抛物镜微光斑光学设计、我们的专利多角度微分偏振仪(MADP)和微分功率谱密度(DPSD)技术，以及我们先进的材料建模软件和优化算法。它还具有跨越扩展光谱范围的光谱传输测量的独特能力。因此，FilmTek 3000 PAR-SE不仅对超薄膜和多层膜的变化具有业界领先的灵敏度，而且还特别适合用于吸收图案的薄膜或含有吸收结构的产品晶圆。
此外，FilmTek 3000 PAR-SE的硬件和软件都可以很容易修改满足客户独特的需求和测量要求远远超出那些主流薄膜计量应用，包括那些需要广义椭圆测量或更先进的自动化。bob平台靠谱吗
独特的
样本的兼容性
能够反射，传输和椭圆偏振测量材料在透明和非透明的基材上。
先进的
FilmTek PAR-SE设计
在应用程序中提供行业领先的精度和精度，远远超过竞争系统的能力。bob平台靠谱吗
传输
测量能力
提高了图案和吸收膜和产品晶圆的精度和重复性。
了解更多关于这种乐器的知识。
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Caratteristiche
测量功能
允许同时确定:
- 多个层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光吸收系数[k(λ)]
- 能带隙
- 成分(例如，%Ge in SiGex;% Ga in GaxIn1-xAs;AlxGa1-xAs中的%Al等)
- 表面粗糙度
- 组成部分,空隙率
- 结晶性/非晶化(如聚硅或GeSbTe膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 反射光谱测量
- 光谱传输测量
- 旋转补偿设计的椭偏光谱仪(295nm-1700nm)
- 多角度偏振光谱反射(190nm-1700nm)
- 光谱透射测量(220nm-1000nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 采用SCI专利差分功率谱密度(DPSD)技术的多角度微分偏振测量(MADP)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å原生氧化物的重复性)
- 用于成像测量定位的摄像机
- 模式识别
- 50微米的光斑大小
- 先进的材料建模软件
- bob电竞安全吗布鲁克广义材料模型与先进的全局优化算法
可选:
- 自动化的样品处理
- 各向异性测量(nx, ny, nz)的广义椭圆偏振法(4×4矩阵概化法)
- 秒/宝石
Applicazioni
典型应用领域
几乎所有的半透明薄膜的厚度从小于100 Å到大约150 μ m都可以高精度地测量。典型的应用领域包括:
- 光子学和电信
- 平板显示器
灵活的软件可以很容易地修改，以满足研发和生产环境中独特的客户需求。
Specifiche
技术规格
| 膜厚度范围 | 0 Å ~ 150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | ±1.0 Å NIST可追溯标准氧化物100 Å到1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm(标准为220 nm - 1000 nm) |
| 测量光斑大小 | 25 μ m - 300 μ m (50 μ m标准);2毫米(70°) |
| 光谱分辨率 | 0.3 - 2nm |
| 光源 | 稳压氘卤素灯(使用寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素Sony线阵CCD / 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵(近红外) |
| 电脑 | Windows™10操作系统的多核处理器 |
| 测量时间 | 每个部位约2秒(如氧化膜) |
性能
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150000年,一个 | t、n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t(聚)t(氧化) | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t(聚)t(氧化) | 0.2 Å / 0.0005 |