FilmTek 2000 TSV
用于半导体封装应用的高通量测量的先进计量系统bob平台靠谱吗
Punti salienti
2000年FilmTek m-tsv
FilmTek™2000M TSV计量系统为先进的半导体封装应用提供了无与伦比的速度和精度组合。bob平台靠谱吗该系统为各种包装工艺和相关结构的高通量测量提供了一流的测量性能和精度，包括通过硅通孔(TSVs)、铜柱、凸点和再分配层(RDL)来表征抗蚀膜厚度。
高收益TSV制造需要快速、高精度的测量TSV蚀刻深度和深度一致性。FilmTek 2000M TSV系统采用了我们的专利光学方法，基于法向入射反射，使用户能够高效、精确地测量高展宽比TSV结构的刻蚀深度。该系统可以方便地确定直径大于1µm的通孔结构的刻蚀深度，最大刻蚀深度可达500µm。
此外，我们的专利低功率物镜光学设计使FilmTek 2000M TSV实现非常小的光斑尺寸-与目标通孔结构的直径相同的数量级-与几乎准直的测量光束。例如，该系统可以配置为10X物镜在y和x维度分别给出5 μ m × 10 μ m的测量光斑大小。这种光学设计限制了收集光的角谱，并从高展弦比TSV或沟槽结构最大化了光谱反射的相干性。因此，该系统可以提供比使用高功率物镜的计量仪器更清晰的数据。
附加功能包括测量高度或深度，临界尺寸，以及微凸点，沟槽和各种其他结构和应用的薄膜厚度。bob平台靠谱吗
无与伦比的
精度和速度
提供快速，高精度的测量复杂的三维结构在~1秒每点。
独特的
专利光学方法
能够对高纵横比TSV结构进行高性能的刻蚀深度测量，包括直径小于1 μ m的通径结构，刻蚀深度可达500 μ m。
高通量
测量能力
通过硅通孔(TSVs)、铜柱、凸点、再分配层(RDL)和其他封装工艺，克服了测量电阻厚度的挑战。
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Caratteristiche
测量功能
使测定:
- 直径大于1 μ m的通孔结构的TSV刻蚀深度，最大刻蚀深度为500 μ m。
- 高度和深度
- 临界尺寸
- 膜厚度
系统组件
标准:
- 测量高纵横比TSV结构
- 测量TSV刻蚀深度达500 μ m
- 测量直径小于1 μ m的TSV结构
- 专利FilmTek技术
- 快速测量时间(每点约1秒)
- TSV蚀刻深度，凹凸高度，临界尺寸，和薄膜厚度计量在一个单一的工具
- 盒式对盒式晶圆处理
- Brooks或SCI自动化
- 300mm, FOUP和SMIF兼容
- 秒/宝石
Applicazioni
典型应用领域
典型的应用领域包括:
- TSV计量
- 先进的半导体封装
灵活的软件可以很容易地修改，以满足研发和生产环境中独特的客户需求。
Specifiche
技术规格
| 测量功能 |
TSV刻蚀深度，凹凸高度，临界尺寸，薄膜厚度 |
|---|---|
| 晶片处理 | 布鲁克斯或力量bob电竞安全吗 |
| 基板尺寸 | 200或300毫米 |
| 模式识别 | Cognex |
| CD精度(1σ) | < 0.2% |
| 蚀刻深度精度(1σ) | < 0.005% |
| 膜厚度范围 | 5 nm ~ 350 μ m (5 nm ~ 150 μ m为标准) |
| 薄膜厚度精度(1σ) | < 0.005% |
| 光源 | 卤素灯 |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线阵CCD阵列 |
| 电脑 | Windows™10操作系统的多核处理器 |
| 晶片的吞吐量 | > 60 WPH |
用FilmTek 2000M TSV和扫描电镜比较通径蚀刻深度
| 通过直径(µm) | 腐蚀深度(µm) 扫描电镜 |
腐蚀深度(μm) FilmTek 2000 TSV |
|---|---|---|
| 5 | 44.5 | 44.3 |
| 10 | 55.5 | 55.5 |
| 15 | 62.0 | 61.8 |
| 20. | 66.5 | 66.8 |