硅中的浅杂质
浅杂质，如硼和磷，是只需要很少能量就能电离的杂质。我们将解释FT-IR如何用于分析它们。
用FT-IR分析Si中的浅层杂质(如B、P、…)
FTIR分析具有检测硅中浅层杂质的高灵敏度和无损性，是广泛采用的硅质量控制方法。bob电竞安全吗Bruker在该领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
使用CryoSAS低温Si分析仪:
- 为工业环境下的高灵敏度低温Si分析而优化，不需要低温液体
- 根据ASTM/SEMI标准全自动测量周期和数据评估，包括报告生成
- 单晶Si中III和V族杂质(B, P, As, Al, Ga, Sb)在ppta范围内的定量
- 碳和氧的同时定量。
使用FT-IR光谱仪:
低温近红外光致发光法根据ASTM/SEMI MF1389对单晶硅中浅层杂质(如B、P)进行定量，检测限可小于1ppta。可与液体He冷冻器或无低温脉冲管冷冻器。