椭圆计和反射计

6000年FilmTek PAR-SE

先进的多通道计量集成电路设备开发和制造的电影

突出了

6000年FilmTek PAR-SE

的FilmTek™6000 PAR-SE先进的多通道电影计量系统提供production-proven监测膜厚度、折射率、压力测量的范围广泛的薄膜层1 x nm设计节点和超越。这个系统支持更严格的过程控制和增加设备产量在生产的最新一代ICs和支持发展的下一个节点技术。

制造业先进集成电路设备1 x纳米需要使用高度统一的复杂的电影。计量工具,可以监控非常薄膜,通常在多层胶片栈(例如,high-k和oxide-nitride-oxide电影),使制造商能够保持严格控制电影构建过程。此外,一些过程,像多模式,导致梯度通过膜的厚度必须监控优化设备性能(例如,电影植入材料损伤和性能)。不幸的是,现有的计量工具,依靠传统的椭圆对称或反射计技术的能力是有限的检测薄膜梯度变化对这些应用程序。bob平台靠谱吗

为了克服这些挑战,6000年FilmTek PAR-SE结合光谱椭圆对称和DUV多角度偏振反射计的宽光谱范围满足要求与多模式和其他领先的设备制造技术。展示我们的专利多角度偏振测定差(MADP)和微分功率谱密度抛物型)技术,该系统独立措施膜厚度和折射率,显著增加其灵敏度变化的电影,特别是那些在多层堆栈。这种结合的方法是理想的超薄和多层厚膜栈用于复杂的设备结构。

1 x nm节点
检验和计量
提供有针对性的、高效的解决方案的挑战先进集成电路设备制造和生产。
可伸缩的
PAR-SE技术和配置
提供行业领先的200毫米和300毫米晶圆的测量性能。
优化
复杂的电影监控
使均匀性和梯度内的极薄膜厚度监控多层堆栈。
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Eigenschaften

特性

测量功能

可以同时测定:

  • 多个层厚度
  • 的折射指数(n(λ))
  • 灭绝(吸收)系数(k(λ))
  • 能量带隙(如)
  • 成分(例如,% SiGex通用电气,% GaxIn1-xAs Ga, % AlxGa1-xAs Al,等等)。
  • 表面粗糙度
  • 组成部分,空隙率
  • 结晶度/无定形化(例如,文章或GeSbTe电影)
  • 电影梯度

系统组件

标准:

  • 光谱椭圆对称旋转补偿器设计(295 nm - 1700 nm)
  • 多角度偏振光谱反射(190 nm - 1700 nm)
  • 独立测量薄膜厚度和折射率
  • 多角度偏振测定差(MADP)技术与科学的专利微分功率谱密度抛物型)技术
  • 适合测量超薄电影(0.03对原生氧化可重复性)
  • 专利抛物面镜技术——小光斑大小措施在50×50µm特性
  • 盒式磁带薄片处理
  • 模式识别(Cognex)
  • FOUP或SMIF兼容
  • 秒/宝石
  • 先进材料建模软件
  • bob电竞安全吗力量的广义物质模型与先进的全局优化算法

Anwendungen

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典型应用领域

典型的应用领域包括:

  • 半导体集成电路设备

Spezifikationen

技术规格

膜厚度范围 0到150µm
膜厚度精度 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm
光谱范围 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm标准)
测量光斑大小 50µm
样本大小 2毫米- 300毫米(150毫米标准)
光谱分辨率 0.3 - 2 nm
光源 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命)
探测器类型 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR)
电脑 多核处理器操作系统Windows™10
测量时间 ~ 2秒/站点(例如,氧化膜)

性能规格

电影(年代) 厚度 测量参数 精度()
氧化/ Si 0 - 1000 t 0.03
1000 - 500000 t 0.005%
1000年,一个 t、n 0.2 / 0.0001
15000年,一个 t、n 0.5 / 0.0001
150.000 t、n 1.5 / 0.00001
氮化硅/硅 200 - 10000 t 0.02%
500 - 10000 t、n 0.05% / 0.0005
光刻胶/ Si 200 - 10000 t 0.02%
500 - 10000 t、n 0.05% / 0.0002
多晶硅/氧化/ Si 200 - 10000 tt氧化 0.2 / 0.1
500 - 10000 tt氧化 0.2 / 0.0005

Kontakt

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