的FilmTek™6000 PAR-SE先进的多通道电影计量系统提供production-proven监测膜厚度、折射率、压力测量的范围广泛的薄膜层1 x nm设计节点和超越。这个系统支持更严格的过程控制和增加设备产量在生产的最新一代ICs和支持发展的下一个节点技术。
制造业先进集成电路设备1 x纳米需要使用高度统一的复杂的电影。计量工具,可以监控非常薄膜,通常在多层胶片栈(例如,high-k和oxide-nitride-oxide电影),使制造商能够保持严格控制电影构建过程。此外,一些过程,像多模式,导致梯度通过膜的厚度必须监控优化设备性能(例如,电影植入材料损伤和性能)。不幸的是,现有的计量工具,依靠传统的椭圆对称或反射计技术的能力是有限的检测薄膜梯度变化对这些应用程序。bob平台靠谱吗
为了克服这些挑战,6000年FilmTek PAR-SE结合光谱椭圆对称和DUV多角度偏振反射计的宽光谱范围满足要求与多模式和其他领先的设备制造技术。展示我们的专利多角度偏振测定差(MADP)和微分功率谱密度抛物型)技术,该系统独立措施膜厚度和折射率,显著增加其灵敏度变化的电影,特别是那些在多层堆栈。这种结合的方法是理想的超薄和多层厚膜栈用于复杂的设备结构。
可以同时测定:
典型的应用领域包括:
膜厚度范围 | 0到150µm |
---|---|
膜厚度精度 | 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm |
光谱范围 | 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm标准) |
测量光斑大小 | 50µm |
样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
光谱分辨率 | 0.3 - 2 nm |
光源 | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命) |
探测器类型 | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR) |
电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
测量时间 | ~ 2秒/站点(例如,氧化膜) |
电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
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氧化/ Si | 0 - 1000 | t | 0.03 |
1000 - 500000 | t | 0.005% | |
1000年,一个 | t、n | 0.2 / 0.0001 | |
15000年,一个 | t、n | 0.5 / 0.0001 | |
150.000 | t、n | 1.5 / 0.00001 | |
氮化硅/硅 | 200 - 10000 | t | 0.02% |
500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
光刻胶/ Si | 200 - 10000 | t | 0.02% |
500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
多晶硅/氧化/ Si | 200 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.1 |
500 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.0005 |