2000年FilmTek PAR-SE
先进的多通道对几乎任何先进的薄膜或产品计量晶片测量
突出了
2000年FilmTek PAR-SE
的FilmTek™2000 PAR-SE光谱椭圆对称/多角度反射计系统结合尖端和专有FilmTek技术提供行业领先的精度,精度和通用性几乎任何先进的薄膜测量应用程序从研发到生产。其标准小斑点测量尺寸和模式识别功能使这个系统适合描述的电影和产品晶片。
我们最先进的综合计量产品线的一部分(“PAR-SE”), 2000年FilmTek PAR-SE之外唯一能满足测量要求的平均厚度、分辨率、光谱范围主流应用程序和所需提供的标准仪器。bob平台靠谱吗
它提供了非常精确和可重复的厚度和折射率测量超薄薄膜(特别是在多层堆栈)。此外,这个系统是更敏感的在这些样品不均匀性比传统椭圆光度法和反射计工具。这是2000年FilmTek PAR-SE的多通道设计的结果,结合高性能旋转compensator-based与专利多角度微分光谱椭圆对称偏振测定(MADP)和微分功率谱密度抛物型)技术、长/宽光谱范围DUV多角度偏振反射计,我们的专利抛物面镜的光学设计和先进FilmTek软件。
多才多艺的
样品和材料建模的兼容性
提供行业领先的速度和精度几乎任何先进的薄膜测量应用程序
前沿
结合FilmTek系统设计
满足测量要求超出需求的主流应用程序和标准仪器的功能bob平台靠谱吗
可配置的
软件和硬件
提供了非凡的灵活性进行进一步定制以满足非标准测量需求。
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Eigenschaften
测量功能
可以同时测定:
- 多个层厚度
- 的折射指数(n(λ))
- 灭绝(吸收)系数(k(λ))
- 能量带隙(如)
- 成分(例如,% SiGex通用电气,% GaxIn1-xAs Ga, % AlxGa1-xAs Al,等等)。
- 表面粗糙度
- 组成部分,空隙率
- 结晶度/无定形化(例如,文章或GeSbTe电影)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 光谱椭圆对称旋转补偿器设计(295 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光谱反射(190 nm - 1700 nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度偏振测定差(MADP)技术与科学的专利微分功率谱密度抛物型)技术
- 适合测量超薄电影(0.03对原生氧化可重复性)
- 相机成像测量位置
- 模式识别
- 50微米光斑大小
- 先进材料建模软件
- bob电竞安全吗力量的广义物质模型与先进的全局优化算法
可选:
- 广义椭圆光度法(4×4矩阵推广方法)对各向异性测量(nxnynz)
- 盒式磁带薄片处理
- FOUP和SMIF兼容的
- 模式识别(Cognex)
- 秒/宝石
Anwendungen
典型应用领域
几乎所有的半透明的电影不等厚度小于1的大约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:
- 硅半导体
- 复合semconductor
- 领导/ OLED
与灵活的硬件和软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求,特别是在研发和生产环境。
Spezifikationen
技术规格
| 膜厚度范围 | 0到150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm标准) |
| 测量光斑大小 | 25µm - 300µm(垂直入射);2毫米(70°) |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
| 光谱分辨率 | 0.3 - 2 nm |
| 光源 | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR) |
| 自动化与自动对焦 | 标准是300毫米(200毫米) |
| 电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
| 测量时间 | < 1秒/站点(例如,氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 | t | 0.03 |
| 1000 - 500000 | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 / 0.0001 | |
| 150.000 | t、n | 1.5 / 0.00001 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化/ Si | 200 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.1 |
| 500 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.0005 |