GaN on Si功率装置计量学

GaN在Si上的功率器件可以用阶梯式和最高级缓冲器生长，但这两种类型的器件层是相同的。

阶梯式缓冲器用于低压设备，通常结构不太复杂。在这些缓冲液中，需要各个层的组成，可以通过HRXRD测量和从摇摆曲线的宽度获得的质量获得。

超晶格缓冲器更为复杂，已被开发用于更高电压的器件。它们由AlGaN / GaN(或类似)层的重复双层组成，HRXRD提供了超晶格周期和超晶格中AlGaN的平均组成。

不管缓冲层是什么，x射线测量所需的器件层参数是每一层的厚度和AlGaN阻挡层的组成。这些可以从x光扫描的组合中发现。

一套完整的计量方法已被开发用于GaN对Si的应用。bob平台靠谱吗其中包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，使用摇动曲线进行质量和超高速rsm组合(可达10秒)，并使用成分扫描对结构进行全面表征。