Ultraschnelle Abbildung ihrer EBSD Proben Mittels Orientierungskontrast（Vorwärtsgestretreuteelektronen/fse）undrückstreukontrast（BSE）

BESTEBILDQUALITätNurMit Argus-System

das bildgebungssystem Argus kombiniert eine eine geniale idee [A.P. Day Et全部] MIT Hochwertigen siliziumdioden和brukbob电竞安全吗ersunübertroffenersignalverarbeitungstechnologie，um fse- und und bse-und bse-bilder mitunübertroffenerQualität和细节Zu Liefern。Hier Sind Die Wichtigsten Funktionen，Die Argus ZurBestenLösungMachen，Die HeuteVerfügbarist：

•FSE - Falschfarben中的Brillanter Orientierungskontrast

•BSE - Hochwertiger Materialkontrast anhandderRückstreelektronen

•Abbildung Mit Geschwindigkeiten von bis Zu 125.000 Pixeln/Sekunde

•schnelle和vollautomatische signaloptimierung在der esprit软件中

•DIESignalVerstärkungselektronikIstvollständigin den ebsd-detektor Integriert，d.h。Externe Anbauten Werden NichtBenötigt

•VOM BENUTZER AUSTAUSCHBARE DIODEN

Argus bildgebungssystem

einem Querschnitt-bse-bild einer thermchen barrierebeschichtung auf einer turbinenschaufel中的phasenkontrast

Orientierungskontrast eines eins edelstahls aus添加剂Fertigung

Die oben beschriebenen argus-spezifikatikationen kbombiniert mit verschiedenen esprit-softwarefunktionen ergeben leistungsstarke vorteilefürvorteilefürverschiedenste anwendungen anwendungen。Hier Nur Einige Beispiele：

ZeitaufgelösteVisualisierung von proben bei bei in Initu-ovperimenten，Z.B。原位 - Zug- und Kompressionstests -ESPRIT TRM-FUNKTION
präzisedriftkorrektur beim ebsd映射 - ESPRIT漂移校正式funktion
替代Zur Sehr Schnellem EBSD映射 -快速的EBSD-Funktion
Visualisierung von GeringstenOrientierungsänderungen和MagnetischenDomänen在Kristallen

Anwendungsbeispiele

weitere Informationen zu den vorteilen des argus-bildgebungssystems und anwendungsbeispielen在Unserer Bildergalerie Unten Oder oder verwandten视频Auf Unsem中找到了Siebob电竞安全吗Bruker Nano Analytics YouTube-Kanal。

abb。1：Argus bse-bild einer thermchen barrierebeschichtung auf einer turbinenschaufel bestehend aus mehreren phasen phasen mit unterschiedlicherlicher ementarzusammensetzung，d.h。Unterschiedlichen durchschnittlichen ordnungszahlen。

abb。2：Argus fse-bild eines austenitischen edelstahls aus auditiver fertigung，麻省理工学院MIT SEHR杂同元Mikrostruktur。DAS MUSTER ERGIBT SICH AUS DEM重复性prinzip死亡Herstellungsprozesses。Die farbvariation Zeigen dieänderungender kristallorientierung。

abb。3：Argus fse bild（Orientierungskontrast）von verformtem cu。

abb。4：Argus fse-bild einer双层 - 斯塔尔普罗伯（Die Stahlprobe），die 8 stunden bei 650°CgeglühtWurde。DieUrsprünglicheGebändertestruktur ist Immer noch sichtbar mitgroßenaustenit-kornbändern，Die Durch cluster cluster von ferrit-

abb。5: ARGUS FSE-Bild einer Co-Legierungsprobe nach Indentierung mit Hysitron PicoIndenter PI 89. Merkmale kristallographischen Ursprungs, die auf die Aktivierung mehrerer Gleitsysteme hinweisen, sind in der Nähe der Indenter-Eindrücke bei 3, 9 und 12 Uhr sichtbar.

abb。6：Argus fse-bilder einer az31-probe nach initu-kompressionstests（链接）undanschließendenZugversuchen（rechts）。Umfangreiche Zwillingsbildung，Diewährenddes Kompressionstests Stattgefunden Hat，in der Oberen Linken ecke d d d d d darstellung links zu zu sehen。Die Meisten ZwillingeVerschwandenWährenddes Zugversuchs aus diesem bereich der proce（darstellung rechts）。

abb。7：12 Mega像素Argus fse-bild einer polykristallinen探针mit geringervergrößerung;Unkorrigiertes bild auf der linken seite，bild auf der rechten sehite nach automatscher hintergrundsubtraktion durch durch eSprit 2软件AM ende des scans。Aufnahmezeit战争3小型。

abb。8：Argus fse-bild einer einkristallinen algan-schicht，Die Sich auf einem strukturierten saphirsubstrat abgeschieden wurde。Die StarkeOberflächentopraphieverursacht die beobachtete farbvariation。

abb。9：Argus fse-bild des gleichen bereichs wie in abb。8，Aber MitHöheremAbnahmewinkelFüriedievorwärtsgestreutenelektronen durch angepasste tocerierung der argus-dioden。Die HierGewähltedeometrie Zwischen探针和DeTektor Reduziert DieIntensitätdesdes podagraphiekontrasts和ErmöglichtDie Visutisierung Mikrostruktureller Merkmale。在Diesem Fall Erkennt Man Eine Wabenstruktur，Der durch das das vorhandensein von von restspannung in der einkristallinen schicht erzeugt erzeugt wird。diese restspannung entsteht durch minimale fehlpassung der algan-schicht beim aufwachsen auf daswabenförmigstrukturierte saphirsubstrat。

abb。10：Argus fse-bild von gesintertem martensitischem-stahl，welchesgroßeMartensit-Regionen Mit Mit Kleinerenferritkörnerndazwischen Zeigt。